发明人 成会明;李峰;范月英;苏革;沈祖洪 地址 110015辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 概述 一种制备单壁纳米碳管的方法，采用碳源与催化剂在气态下充分混合匀速输入反应区的方法生成单壁纳米碳管；其中碳源为低熔点的水分子碳氢化合物，碳原子数小于１０...

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发明人 方宝贤 地址 650091云南省昆明市121大街天君殿巷9幢501号 概述 本发明涉及到晶体生长，尤其是金刚石晶体的生长方法。本发明所述方法是用碳源在可防止氧化的气体里，在金属液态衬底表面上生长金刚石晶体。在本申请中，作为衬底的金属是与碳没有反应...

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发明人 叶宁;曾文荣;陈创天;吴柏昌;吴以成 地址 350002福建省福州市鼓楼区山头角123号 概述 一种新型非线性光学晶体硼酸铝氧钡[分子式：BaAl 要害点 1、一种新型非线性光学晶体硼酸铝氧钡（简称BABO），其特征在于：它的分子式为BaA12O（Bo3...

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发明人 沈波;郑有∴;张荣;周玉刚;陈鹏;胡立群;陈志忠;臧岚 地址 210093江苏省南京市汉口路22号 概述 光辐射加热金属有机化学汽相淀积ＧaＮ的生长方法和装置，将α－Ａl 要害点 1、光辐射加热金属有机化学汽相淀积GaN的生长方法，其特征是将α－Al2O3，...

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发明人 陆延青;郑建军;闵乃本 地址 210093江苏省南京市汉口路22号 概述 制备稀土离子掺杂光学超晶格材料的方法及应用，根据提拉法或室温极化制备Er 要害点 1．制备稀土离子掺杂光学超晶格材料的方法，其特征是根据提拉法直接制备或外加脉冲电场室温极化制备

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发明人 杨建荣;王善力;陈新强;方维政;巫艳;于梅芳;何力 地址 200083上海市玉田路500号 概述...

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发明人 童玉珍;张国义 地址 100871北京市海淀区北京大学 概述 本发明是一种ＭＯＣＶＤ法制备高荧光效率的铟镓氮单晶薄膜的生长技术，在高温下生长铟镓氮单晶薄膜，同时进行Ｓi和Ｚn共掺杂，实现高效蓝光发射。ＧaＮ和ＩnＧaＮ可在相同温度下生长...

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发明人 李顺朴;潘明祥;赵德乾;赵生旭;陈熙琛 地址 100080北京市603信箱高存秀转 概述 本发明属于晶体生长领域，非凡是涉及浮区法生长分凝系数较高的固熔体晶体与包晶反应生成相晶体技术...

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发明人 C·H·卡特;V·F·特斯维特科夫;R·C·格拉丝 地址 美国北卡罗来纳州 概述 在一个炉式升华系统中生长了大尺寸的单晶碳化硅。为了产生基本无色的晶体，生长了具有均衡含量的p型和n型掺杂剂（大致等量的两种掺杂剂）...

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发明人 莫森·巴南;里查德·Ｌ·翰森 地址 美国密苏里 概述 拉制单晶硅的方法和所用的石墨支撑容器。拉制单晶硅时，碱土金属和碱金属非凡是钙的浓度严重影响石英容器的不均匀反玻璃化...

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发明人 山崎基治;奥野哲启 地址 日本大阪府 概述 一种生产多晶半导体晶锭的工艺和设备。把半导体原料（１５）装入由外坩埚（１）和内坩埚（２）组成的双层坩埚内。坩埚从上面加热，以便使硅半导体原料熔化。坩埚（１）的底部固定在用冷却水冷却的支撑台（４...

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发明人 周祚万;邱斌武;谢宁 地址 610031四川省成都市 概述 本发明涉及一种氧化锌晶须制备方法，属于高分子、陶瓷、金属材料技术领域...

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发明人 杉山修;宫行男;小池龙太;户井田孝志;关根敏一 地址 日本东京 概述 在将辅助电极（７１）插入到与被加工物相滑动接触的内周面上形成有硬质碳膜（１５）的导衬（１１）的中心开口（１１j）内的状态下，将该导衬（１１）配置在内部备有阳极（７９...

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发明人 朴在槿;曹圭∴;李坤燮 地址 韩国京畿道 概述 一种硅锭按一拉晶速率分布下进行，其拉速要足够高以限制间隙凝聚，且还要足够低以便将空位凝聚限定在晶锭轴向上的富含空位区上...

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发明人 奥野哲启 地址 日本大阪府 概述 本发明披露了一种制造具有优异结晶学性质的高质量多晶半导体锭的方法和装置。将密封容器（１）的内部保持在对半导体是惰性的气氛中。将半导体原材料（１７）加入坩埚（９）中，用电热感应线圈（５）加热半导体原材料...

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